71 sonuçtan 10-18 arası gösteriliyor
-
IROMX 1TB 500/480MB/s 2.5″ SATA 3.0 SSD IR1TBS3 Arayüz: SATA III 6Gb/s Biçim Faktörü (Form Faktörü): 2.5 inç, 7mm yükseklik Denetleyici (Controller): Maxio MAS1102 NAND Flash Tipi: 3D TLC NAND Kapasite: 1 TB Sıralı Okuma (Sequential Read): 500 MB/s –Up 560 MB/s’ye kadar Sıralı Yazma (Sequential Write): 480 MB/s –Up 520 MB/s’ye kadar Rastgele 4K Okuma (Random 4K Read): 95K IOPS’a kadar Rastgele 4K Yazma (Random 4K Write): 85K IOPS’a kadar S.M.A.R.T. Desteği: Evet TRIM Desteği: Evet NCQ Desteği: Evet ECC (Hata Düzeltme): LDPC Hata Düzeltme TBW (Dayanıklılık): 150TB / 300TB / 600TB / 1200TB MTBF (Arızalar Arası Ortalama Süre): 1,500,000 saat Şok Direnci: 1500G / 0.5ms Titreşim Direnci: 20G (10–2000Hz) Çalışma Sıcaklığı: 0°C – 70°C Depolama Sıcaklığı: -40°C – 85°C Nem: %5 ~ %95 RH (yoğuşmasız)
-
IROMX 256GB 3000/1000MB/s M2 PCIE GEN3 NVME SSD IR256GNVP3 Category:NVMe SSD Interface:PCIe Gen3 x4, NVMe 1.3 Form Factor:M.2 2280 Capacity: 256 GB NAND Flash:3D TLC NAND Controller:MAP1202 Sequential Read:Up to 3,000 MB/s Sequential Write:Up to 1,000 MB/s (512 GB) MTBF:1,800,000 hours Shock Resistance:15,000G, 0.5ms half-sine Operating Temperature:0°C to 70°C Storage Temperature:-40°C to 85°C Power Voltage:DC 3.3V ± 5%
-
IROMX 256GB 540/460MB/s 2.5″ SATA 3.0 SSD IR256GS3 Arayüz: SATA III 6Gb/s Biçim Faktörü (Form Faktörü): 2.5 inç, 7mm yükseklik Denetleyici (Controller): Maxio MAS1102 NAND Flash Tipi: 3D TLC NAND Kapasite: 256GB Sıralı Okuma (Sequential Read): 540 MB/s –Up 560 MB/s’ye kadar Sıralı Yazma (Sequential Write): 460 MB/s –Up 520 MB/s’ye kadar Rastgele 4K Okuma (Random 4K Read): 95K IOPS’a kadar Rastgele 4K Yazma (Random 4K Write): 85K IOPS’a kadar S.M.A.R.T. Desteği: Evet TRIM Desteği: Evet NCQ Desteği: Evet ECC (Hata Düzeltme): LDPC Hata Düzeltme TBW (Dayanıklılık): 150TB / 300TB / 600TB / 1200TB MTBF (Arızalar Arası Ortalama Süre): 1,500,000 saat Şok Direnci: 1500G / 0.5ms Titreşim Direnci: 20G (10–2000Hz) Çalışma Sıcaklığı: 0°C – 70°C Depolama Sıcaklığı: -40°C – 85°C Nem: %5 ~ %95 RH (yoğuşmasız)
-
IROMX 32GB 3200Mhz DDR4 (SAMSUNG CHIP) NOTEBOOK RAM • DDR4 / SO-DIMM • Frekans hızı : 3200 MHz • Voltaj : 1.2V • Gecikme değeri : CL22 • Kullanım tipi : Notebook • Üretim yeri : Taiwan • Garanti : 24AY
-
IROMX 32GB 3200MHZ DDR4 SAMSUNG CHIP PC RAM • DDR4 • Kullanım tipi : Desktop PC • Frekans hızı : 3200 MHz • Kapasite : 32GB • Soğutucu : Yok • Üretim yeri : Taiwan • Garanti : 2Yıl
-
IROMX 32GB 5600MHz RAM SAMSUNG CHIP • DDR5 • Kullanım tipi : Desktop PC • Frekans hızı : 5600 MHz • Kapasite : 32GB • Soğutucu : Yok • Üretim yeri : Taiwan • Garanti : 2Yıl
-
IROMX 32GB 5600MHz DDR5 SAMSUNG CHIP NOTEBOOK RAM BULK • DDR5 / Sodimm • Kullanım tipi : Notebook PC • Frekans hızı : 5600 MHz • Kapasite : 32GB • Soğutucu : Yok • Üretim yeri : Taiwan • Garanti : 2Yıl
-
IROMX 4GB 1600MHz RAM SAMSUNG CHIP • DDR3 • Kullanım tipi : Desktop PC • Frekans hızı : 1600 MHz • Kapasite : 4GB • Soğutucu : Yok • Üretim yeri : Taiwan • Garanti : 2Yıl
-
IROMX 512GB 3000/2000MB/s M2 PCIE GEN3 NVME SSD IR512GNVP3 Category:NVMe SSD Interface:PCIe Gen3 x4, NVMe 1.3 Form Factor:M.2 2280 Capacity: 512 GB NAND Flash:3D TLC NAND Controller:MAP1202 Sequential Read:Up to 3,000 MB/s Sequential Write:Up to 2,000 MB/s (512 GB) MTBF:1,800,000 hours Shock Resistance:15,000G, 0.5ms half-sine Operating Temperature:0°C to 70°C Storage Temperature:-40°C to 85°C Power Voltage:DC 3.3V ± 5%
